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SQJ872EP-T1_GE3
耐压:150V 电流:24.5A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ872EP-T1_GE3
- 商品编号
- C5900617
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.266667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.045nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 504pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- SQM120N04-1M9_GE3
- SQS840EN-T1_BE3
- SMM-109-02-S-S-TR
- SMM-110-01-S-D-11
- SQP500JB-5R1
- SMM-110-01-S-D-12
- SQR141U1LAW
- SMM-110-01-S-S-P
- SQR22601LA
- SMM-110-02-H-D-P
- SQR226U1LAW
- SMM-110-02-L-D-LC-K-TR
- SQR226U1WHW
- SMM-110-02-S-D-P
- SMM-110-02-SM-D-TR
- SQT-102-02-F-D
- SMM-111-01-L-S
- SQT-102-02-G-S
- SMM-111-02-F-D-K-TR
- SQT-102-02-L-S
- SMM-111-02-L-D