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SQD50034EL_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD50034EL_GE3
- 商品编号
- C5900603
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费和计算领域-ATX电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-采用以下拓扑结构的应用-LCC-移相桥(ZVS)-三电平逆变器-交直流桥
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