- 引脚图
- 焊盘图
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SIR164DP-T1-RE3
SIR164DP-T1-RE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR164DP-T1-RE3
- 商品编号
- C5900122
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 740pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET第三代功率MOSFET
- 针对开关应用中减少振铃现象优化的MOSFET技术
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-直流-直流转换-笔记本电脑CPU核心
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