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SQ1464EEH-T1_GE3实物图
  • SQ1464EEH-T1_GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQ1464EEH-T1_GE3

1个N沟道 耐压:60V 电流:0.44A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg测试。 典型ESD保护:800V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQ1464EEH-T1_GE3
商品编号
C5900582
商品封装
SC-70-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.030646克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)440mA
导通电阻(RDS(on))1.41Ω@1.5V,1.2A
耗散功率(Pd)140mW
阈值电压(Vgs(th))600mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)140pF@25V
反向传输电容(Crss)15pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
类型N沟道
输出电容(Coss)19pF

商品特性

  • 特定导通电阻(mΩ - cm²)降低 25%
  • 低品质因数(FOM)Ron × Qg
  • 低输入电容(Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 有雪崩能量额定值(UIS)
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤

应用领域

  • 功率因数校正电源(PFC)
  • 硬开关 PWM 级
  • 计算机领域
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 照明
  • 发光二极管(LED)
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 电信
  • 服务器电源
  • 可再生能源
  • 光伏逆变器
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 不间断电源

数据手册PDF