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SQ4153EY-T1_GE3
1个P沟道 耐压:12V 电流:25A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4153EY-T1_GE3
- 商品编号
- C5900591
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- P沟道MOSFET
应用领域
- 同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-或门功能-电源-电机驱动控制-电池与负载开关