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SIS606BDN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:9.4A 电流:35.3A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS606BDN-T1-GE3
- 商品编号
- C5900147
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A；35.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的导通电阻-栅极电荷品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻-输出电荷品质因数进行优化
- 100%进行栅极电阻和非钳位感性开关测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用