SISS42DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:11.8A 电流:40.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS42DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5900153
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40.5A；11.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 57W；4.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻。
- 内置栅源保护二极管。
- 小型表面贴装封装（TSMT3）。
应用领域
- 开关