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SISS50DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:45V 电流:108A 电流:29.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 在紧凑且热增强的RoHS兼容封装中具有极低的RDS(on)。 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，降低与开关相关的功率损耗。 100% Rg和UIS测试。应用：同步整流。 同步降压转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS50DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5900155
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.156667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29.7A；108A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.83mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W；5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 在紧凑且散热增强型封装中实现极低的导通电阻RDS(on)
- 优化的栅极电荷Qg、栅漏电荷Qgd以及Qgd/Qgs比,可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 同步降压转换器
- 高功率密度DC/DC转换器
- 电池开关与保护
- 负载开关