SIRA00DP-T1-RE3
SIRA00DP-T1-RE3
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA00DP-T1-RE3
- 商品编号
- C5900135
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 或门操作
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块和嵌入式DC/DC
相似推荐
其他推荐
- SIRA22DP-T1-RE3
- SIRA50ADP-T1-RE3
- SIS184DN-T1-GE3
- SIS4604LDN-T1-GE3
- SIS4608LDN-T1-GE3
- SIS606BDN-T1-GE3
- SISS22DN-T1-GE3
- SISS42DN-T1-GE3
- SISS50DN-T1-GE3
- SQ1464EEH-T1_GE3
- SQ4153EY-T1_GE3
- SQD100N03-3M2L_GE3
- SQD100N04-3M6_GE3
- SQD25N06-22L_T4GE3
- SQD50034EL_GE3
- SQJ170ELP-T1_GE3
- SQJ414EP-T1_BE3
- SQJ476EP-T1_BE3
- SQJ848EP-T1_GE3
- SQJ872EP-T1_GE3
- SQM120N04-1M9_GE3