温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIRA50ADP-T1-RE3
40V 219A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS标准。 无卤。 Qgd/Qgs比率 < 1，优化开关特性。应用：同步整流。 或门应用
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA50ADP-T1-RE3
- 商品编号
- C5900139
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 219A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.04mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比 < 1,优化开关特性
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 或门逻辑
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块和嵌入式DC/DC
- DC/AC逆变器
- 负载开关
相似推荐
其他推荐
- SIS184DN-T1-GE3
- SIS4604LDN-T1-GE3
- SIS4608LDN-T1-GE3
- SIS606BDN-T1-GE3
- SISS22DN-T1-GE3
- SISS42DN-T1-GE3
- SISS50DN-T1-GE3
- SQ1464EEH-T1_GE3
- SQ4153EY-T1_GE3
- SQD100N03-3M2L_GE3
- SQD100N04-3M6_GE3
- SQD25N06-22L_T4GE3
- SQD50034EL_GE3
- SQJ170ELP-T1_GE3
- SQJ414EP-T1_BE3
- SQJ476EP-T1_BE3
- SQJ848EP-T1_GE3
- SQJ872EP-T1_GE3
- SQM120N04-1M9_GE3
- SQS840EN-T1_BE3