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SIRA50ADP-T1-RE3
40V 219A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS标准。 无卤。 Qgd/Qgs比率 < 1，优化开关特性。应用：同步整流。 或门应用
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA50ADP-T1-RE3
- 商品编号
- C5900139
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 219A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.04mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- P沟道MOSFET
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