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SIS4604LDN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:15.1A 电流:45.9A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS4604LDN-T1-GE3
- 商品编号
- C5900143
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.1A；45.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W；33.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道式场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 极低的导通电阻(RDS)×栅极电荷(Qg)品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻(RDS)×输出电容(Qoss)品质因数进行优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关-电路保护-负载开关