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SIR184LDP-T1-RE3

N沟道，60 V（D-S）MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。初级侧开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIR184LDP-T1-RE3
商品编号: C5900125
商品封装: PowerPAKSO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.355克(g)

商品参数

~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容 (Ciss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值 (UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数 (FOM):Ron x QG-快速开关