SIR608DP-T1-RE3
SIR608DP-T1-RE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR608DP-T1-RE3
- 商品编号
- C5900127
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 208A | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管 (TrenchFET) 功率MOSFET
- 漏源击穿电压45 V
- 针对低栅极电荷 (Qg) 和输出电荷 (Qoss) 进行优化
- 经过100%反向恢复电荷 (Rq) 和非钳位感性负载开关 (UIS) 测试
应用领域
-同步整流-高功率密度DC/DC-电机驱动控制
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