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SIR820DP-T1-GE3
SIR820DP-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR820DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5900131
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 4.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-直流-直流转换器-低端开关-笔记本电脑-显卡-服务器
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