SIJH440E-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJH440E-T1-GE3
- 商品编号
- C5900044
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.96mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 完全无铅(Pb)器件
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比,可降低开关相关的功率损耗
- 最大连续漏极电流高达200 A
- 占位面积比D^2PAK/TO - 263小50%
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-或功能-电机驱动控制-电池管理
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