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SIR150DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:45V 电流:110A
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 45V漏源击穿电压。 针对低Qg和Qoss进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 材料分类：有关合规性定义请参阅相关文档。应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR150DP-T1-RE3
- 商品编号
- C5900120
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.71mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 特定导通电阻 (mΩ-cm²) 降低 25%
- 品质因数 (FOM) Ron × Qg 低
- 输入电容 (Ciss) 低
- 开关和传导损耗降低
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)
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