SIHP186N60EF-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:18A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP186N60EF-GE3
- 商品编号
- C5900034
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 193mΩ@10V,9.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.081nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 完全无铅（Pb）器件
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比，可降低开关相关的功率损耗
- 最大连续漏极电流高达200 A
- 占位面积比D^2PAK/TO - 263小50%
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流-或功能-电机驱动控制-电池管理
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