SIHW70N60EF-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:70A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHW70N60EF-GE3
- 商品编号
- C5900040
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V,35A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 380nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比 < 1，优化开关特性
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 或门逻辑
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块和嵌入式DC/DC
- DC/AC逆变器
- 负载开关
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