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NCV5183DR2G
高压大电流高端和低端驱动器
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- 描述
- NCP5183 是一款高电压高电流 功率 MOSFET 驱动器， 提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。 它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。 该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV5183DR2G
- 商品编号
- C603958
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4.3A | |
| 拉电流(IOH) | 4.3A | |
| 工作电压 | 10V~17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 12ns | |
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 传播延迟 tpLH | 120ns | |
| 传播延迟 tpHL | 120ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
NCP5183是一款高压大电流功率MOSFET驱动器，提供两个输出端，可直接驱动以半桥（或任何其他高端+低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保高端功率开关的正常驱动。该驱动器使用2个独立输入，以适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）。
商品特性
- 符合AEC Q100汽车级标准
- 电压范围：高达600 V
- dV/dt抗扰度 ±50 V/ns
- 栅极驱动电源范围为9 V至18 V
- 输出源/灌电流能力 4.3 A / 4.3 A
- 与3.3 V和5 V输入逻辑兼容
- 扩展允许的负桥引脚电压摆幅至 -10 V
- 两路通道之间的传播延迟匹配
- 典型传播延迟为120 ns
- 两路通道均具备欠压锁定（UVLO）功能
- 引脚与行业标准兼容
- 这些是无铅器件
应用领域
- 电信和数据通信电源
- 半桥和全桥转换器
- 推挽式转换器
- 高压同步降压转换器
- 电机控制
- 电动助力转向
- D类音频放大器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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