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NCV59800BMNADJTBG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV59800BMNADJTBG

1A低噪声RF LDo稳压器

描述
NCV59800 属于 1 A 低漏线性稳压器 (LDO) 系列,具有高电源抑制比 (PSRR) 和超低输出噪声。该 LDO 系列采用先进的 BiCMOS 工艺,电气性能极佳。它是通信设备中所用的噪音敏感性模拟射频前端的理想选择。NCV59800 采用 3 mm x 3 mm DFN8 封装。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV59800BMNADJTBG
商品编号
C603977
商品封装
TDFN-8-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0602克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录线性稳压器(LDO)
输出类型可调
工作电压5.5V
输出电压800mV~5V
输出电流1A
电源纹波抑制比(PSRR)77dB@(100Hz)
属性参数值
压差-
静态电流(Iq)-
特性过流保护;带使能;过热保护
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)
输出极性正极
输出通道数1

商品概述

NCV59800 是一系列 1 A 低压差线性稳压器 (LDO),具备高电源纹波抑制比 (PSRR) 和超低输出噪声。该系列 LDO 采用先进的 BiCMOS 工艺,实现了出色的电气性能。它是电信设备中对噪声敏感的模拟射频前端的理想选择。NCV59800 采用 3 mm x 3 mm DFN8 封装。

商品特性

  • 工作输入电压范围:2.2 V 至 5.5 V
  • 输出电压范围:
    • 0.8 V 至 5 V(可调)
  • 典型静态电流:60 μA
  • 低压差:1 A、VOUT = 2.5 V 时典型值为 200 mV
  • 负载/线路/温度范围内 VOUT 精度为 ±2.5%
  • 使用 4.7 μF 小型陶瓷电容即可稳定工作
  • 极低噪声:100 Hz 至 100 kHz 范围内典型值为 15 μVRMS/V
  • 过流和热关断保护
  • 采用 3 x 3 mm DFN8 封装
  • 器件温度等级 1:环境工作温度范围为 -40°C 至 125°C
  • NCV 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q100 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR),符合 RoHS 标准

应用领域

  • 电信基础设施
  • 汽车信息娱乐系统
  • 高速接口 (PLL/VCO)

数据手册PDF

交货周期

订货65-67个工作日

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 6000 个)
起订量:6000 个3000个/圆盘

总价金额:

0.00

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