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NCV5703ADR2G实物图
  • NCV5703ADR2G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV5703ADR2G

高电流IGBT栅极驱动器

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描述
是用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器。该器件通过消除外部输出缓冲器,提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。根据引脚配置,器件还包括有源米勒钳位、用于系统设计方便的单独高低 VOH 和 VOL 驱动器输出,以及用于通过外部信号控制驱动器输出的使能功能。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV5703ADR2G
商品编号
C603971
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)6A
拉电流(IOH)-
工作电压13.2V~20V
上升时间(tr)9.2ns
属性参数值
下降时间(tf)7.9ns
传播延迟 tpLH59ns
传播延迟 tpHL54ns
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP);过热保护(OPT)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)4.3V
输入低电平(VIL)1.2V
静态电流(Iq)900uA

应用领域

  • 逆变器
  • 电机控制
  • 不间断电源 (UPS)
  • 光伏系统的快速关断

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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