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NCV51705MNTWG
NCV51705MNTWG
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV51705MNTWG
- 商品编号
- C603957
- 商品封装
- QFN-24-EP(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 6A | |
| 工作电压 | 10V~22V | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
NCV51705驱动器主要用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET晶体管。为实现尽可能低的传导损耗，该驱动器能够向SiC MOSFET器件提供最大允许的栅极电压。通过在导通和关断期间提供高峰值电流，还能将开关损耗降至最低。为提高可靠性、增强dV/dt抗扰度并实现更快的关断速度，NCV51705可利用其片上电荷泵生成用户可选的负电压轨。 为实现完全兼容并降低隔离式栅极驱动应用中偏置解决方案的复杂度，NCV51705还提供一个外部可访问的5 V电压轨，用于为数字或高速光隔离器的次级侧供电。 NCV51705具备重要的保护功能，如对偏置电源进行欠压锁定监测。
商品特性
- 符合AEC - Q100汽车级标准，温度范围为1级
- 采用分离式输出级，具有高峰值输出电流，可独立调节导通/关断
- 源极电流能力：6 A
- 漏极电流能力：6 A
- 扩展正电压额定值，可在导通期间实现高效的SiC MOSFET运行
- 可调的片上稳压电荷泵
- 负电压驱动，实现快速关断
- 内置负电荷泵
- 可访问的5 V参考/偏置电压轨，用于数字振荡器供电
- 可调欠压锁定
- 去饱和功能
- 采用小尺寸、低寄生电感且带可焊侧翼的QFN24封装
应用领域
- 汽车应用中驱动SiC MOSFET
- 汽车逆变器、转换器和电机驱动器
- 功率因数校正（PFC）、AC - DC和DC - DC转换器
交货周期
订货115-117个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单