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CMH40N20P
1个N沟道 耐压:200V 电流:50A
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- 描述
- CMH40N20P采用先进的平面条纹DMOS技术和设计，以实现出色的RDS(ON)。这些器件非常适用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH40N20P
- 商品编号
- C5371882
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 280W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
90N15采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。其结果是在可控的开关特性下实现卓越的效率。这种通用技术非常适合PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅
应用领域
- 不间断电源
- 硬开关和高频电路