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CMH40N20P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMH40N20P

1个N沟道 耐压:200V 电流:50A

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描述
CMH40N20P采用先进的平面条纹DMOS技术和设计,以实现出色的RDS(ON)。这些器件非常适用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品型号
CMH40N20P
商品编号
C5371882
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))57mΩ@10V
耗散功率(Pd)280W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)83nC@10V
输入电容(Ciss)3.4nF
反向传输电容(Crss)125pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-

商品概述

CMH40N20P采用先进的平面条纹DMOS技术和设计,以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

商品特性

  • VDS = 200V,ID = 50A
  • RDS(ON) = 57mΩ @ VGS = 10V
  • 低导通电阻
  • 快速开关
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-交流转换器
  • 开关模式电源
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF