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CMP18N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:18A
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- 描述
- 18N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP18N60
- 商品编号
- C5371892
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
CMH4668PT采用先进的工艺技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。 这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 在栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) = 15mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-交流转换器
- 电机控制
- 不间断电源（UPS）