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CMS8434
1个P沟道 耐压:20V 电流:11A
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- 描述
- CMS8434采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS8434
- 商品编号
- C5371898
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSC63P04L将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
~~- P沟道MOSFET-低导通电阻-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源