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CMSC7240B
1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 先进功率MOSFET为设计人员提供了快速开关和低导通电阻的最佳组合。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC7240B
- 商品编号
- C5371906
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMSA6504A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 1.8mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 降低传导损耗
- 降低开关损耗
应用领域
- 计算机、服务器和负载点（POL）中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器