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RS10N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 高压MOS，LED驱动，适配器,充电器,工控电源，PC电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS10N65D
- 商品编号
- C5371923
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.485克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 930mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.246nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-开关电源(SMPS)-适配器和充电器-交流-直流开关电源