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RS30N100D
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 低压MOS-Trench，适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS30N100D
- 商品编号
- C5371932
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.489克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 100A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 4mΩ
- 当栅源电压VGS = 5V时,导通电阻RDS(ON) < 7mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理