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RS85N140S
1个N沟道 耐压:85V 电流:140A
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- 描述
- 低压MOS-SGT，同步整流，逆变器，电机控制，金牌电源，服务器电源，工业电源，无人机，PD快充，无线充，LED驱动电源，储能BMS
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS85N140S
- 商品编号
- C5371936
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 175W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.09nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过专门优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子镇流器。
商品特性
- 原创全新设计
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改进的dv/dt能力
- 极低的固有电容
应用领域
- 充电器-适配器-电源