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RS4N65MD
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
描述
高压MOS，LED驱动，适配器,充电器,工控电源
- 品牌名称REASUNOS(瑞森半导体)
商品型号
RS4N65MD商品编号
C5371941商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
0.602克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,2A | |
| 功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 543pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 4.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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