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RS6N50D
1个N沟道 耐压:500V 电流:6A
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- 描述
- 高压MOS，高压电机，LED驱动（谐振），PFC控制，PC电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS6N50D
- 商品编号
- C5371924
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.477克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.4nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 535pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA609采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于逆变器等应用。
商品特性
- 30V、20A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 17mΩ
- 30V、-18A，VGS = -10V时，RDS(ON) = 42mΩ
- 表面贴装封装
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 大电流、高速开关
- 便携式设备应用