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RS30P65D
1个P沟道 耐压:30V 电流:65A
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- 描述
- 低压MOS-Trench，电池反极性保护,负载开关,DC-DC转换器,车载充电器,电子烟
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS30P65D
- 商品编号
- C5371929
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- VDS = -30V,ID = -65A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 9 mΩ
- 在VGS = -5V时,RDS(ON) < 16 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
- 电源管理