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RS7N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 高压MOS，LED驱动，适配器,充电器,工控电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS7N65D
- 商品编号
- C5371922
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA15N06L采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用的损耗降至最低。该器件适合用作开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-适配器和充电器-交流-直流开关电源