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IRF740UZ
1个N沟道 耐压:400V 电流:10A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子镇流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- IRF740UZ
- 商品编号
- C5371911
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.774克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |