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CMU4932
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- CMU4932采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU4932
- 商品编号
- C5371909
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.582克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMS9435SC采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 电源管理
- 电池保护