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CMSA15N06L
1个N沟道 耐压:60V 电流:18A
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- 描述
- CMSA15N06L采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA15N06L
- 商品编号
- C5371899
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMS8434采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 36mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 降低传导损耗
- 降低开关损耗
应用领域
- 计算机、服务器和负载点(POL)中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器