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CMSA6504A
1个N沟道 耐压:30V 电流:85A
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- 描述
- CMSA6504A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA6504A
- 商品编号
- C5371902
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V,28A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.3nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMN2922A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 88mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 110mΩ
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 功率放大器开关