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CMH50N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:50A
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- 描述
- CMH50N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH50N50
- 商品编号
- C5371884
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 625W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
120P04是一款P沟道功率MOSFET。它们采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 快速开关
- 更低的导通电阻
- 100%保证耐雪崩能力
- 驱动要求简单
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机控制
- LED控制器