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CMP006N12
1个N沟道 耐压:120V 电流:120A
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- 描述
- 006N12 采用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的导通电阻 (RDS(ON))。该器件适用于 PWM、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP006N12
- 商品编号
- C5371887
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.752克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |