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CMP90N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:90A
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- 描述
- 90N15采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。其结果是在可控的开关特性下实现卓越的效率。这种通用技术非常适合PWM、负载开关和通用应用
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP90N15
- 商品编号
- C5371896
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 315W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 251nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 288pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
006N12采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-可靠耐用-符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流-逆变器系统中的电源管理-电机驱动器