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CMP13N50T
1个N沟道 耐压:500V 电流:13A
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- 描述
- 13N50T采用先进的高压MOSFET技术制造。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP13N50T
- 商品编号
- C5371889
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
15N50B采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 功率开关应用