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CMP30N10实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMP30N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:30A

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描述
30N10是一款N沟道功率MOSFET。它经过专门设计,可将输入电容和栅极电荷降至最低。因此,该器件适用于先进的高效开关应用
商品型号
CMP30N10
商品编号
C5371894
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.72克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))33mΩ
属性参数值
耗散功率(Pd)145W
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)1.5nF@25V
反向传输电容(Crss)100pF@25V

商品概述

40N10采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光源的升压转换器和同步整流器。

商品特性

  • N沟道 - 增强型
  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • LED控制器
  • 电源
  • DC-DC转换器

数据手册PDF