CMP30N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 30N10是一款N沟道功率MOSFET。它经过专门设计,可将输入电容和栅极电荷降至最低。因此,该器件适用于先进的高效开关应用
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP30N10
- 商品编号
- C5371894
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 145W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V |
商品概述
40N10采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光源的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LED控制器
- 电源
- DC-DC转换器
