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CMP150N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 150N04是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP150N04
- 商品编号
- C5371890
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@120A | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.27nF |
商品概述
18N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC - DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源