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CMP3006
1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- 3006采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于电源中的低电压、高速开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP3006
- 商品编号
- C5371893
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
CMS60P06采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 电源管理
- 电池保护