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CMP035N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:135A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并最大限度地减少功率转换应用中的损耗。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP035N06
- 商品编号
- C5371888
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 780pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40V
- 漏极电流（ID） = -30A
- 当栅源电压（VGS） = -10V 时，导通电阻（RDS(ON)） < -32mΩ（典型值：25mΩ）
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换