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CMN2922A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMN2922A

1个N沟道 耐压:100V 电流:3.5A

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描述
CMN2922A采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品型号
CMN2922A
商品编号
C5371886
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.022克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on))88mΩ@10V,2A
耗散功率(Pd)1.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)4nC@10V
输入电容(Ciss)225pF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CMH40N20P采用先进的平面条纹DMOS技术和设计,以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

商品特性

  • VDS = 200V,ID = 50A
  • RDS(ON) = 57mΩ @ VGS = 10V
  • 低导通电阻
  • 快速开关
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-交流转换器
  • 开关模式电源
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF