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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMH4668PT

1个N沟道 耐压:200V 电流:130A

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描述
使用先进的工艺技术和设计,以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品型号
CMH4668PT
商品编号
C5371883
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
耗散功率(Pd)430W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)55nC@10V
输入电容(Ciss)7nF
反向传输电容(Crss)180pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

70N03D采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,且具有静电放电(ESD)保护功能。这些器件特别适用于低压应用,如手机、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。

商品特性

  • 在栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) = 15mΩ
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-交流转换器
  • 电机控制
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF