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L2N7002EM3T5G
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- L2N7002EM3T5G
- 商品编号
- C5273369
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRLML2803TR采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。 第五代技术，超低导通电阻 薄型封装（<1.1mm） 提供卷带包装
商品特性
- 提供无铅封装。
- 静电防护:2000V
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。