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LSI1012BN3T5G实物图
  • LSI1012BN3T5G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LSI1012BN3T5G

1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA

商品型号
LSI1012BN3T5G
商品编号
C5273375
商品封装
SOT-883​
包装方式
编带
商品毛重
0.011克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)600mA
导通电阻(RDS(on))250mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)360mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))530mV
栅极电荷量(Qg)680pC@4.5V
输入电容(Ciss)83pF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 功率MOSFET:额定电压1.8 V
  • 栅源极静电放电保护
  • 高端开关
  • 低导通电阻:0.7 Ω
  • 低阈值:0.8 V(典型值)
  • 快速开关速度:10 ns
  • 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤。
  • S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

  • 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器。
  • 电池供电系统
  • 电源转换电路
  • 负载/电源开关 手机、寻呼机

数据手册PDF