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LPB3407LT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LPB3407LT1G

1个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A

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描述
特性:VDS = -30V。 RDS(ON) ≤ 60mΩ @VGS = -10V, ID = -4.1A。 RDS(ON) ≤ 80mΩ @VGS = -4.5V, ID = -3A。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S- 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。应用:该器件适用于用作负载开关或PWM应用
商品型号
LPB3407LT1G
商品编号
C5273738
商品封装
SOT-23LC​
包装方式
编带
商品毛重
0.033667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.8A
导通电阻(RDS(on))60mΩ
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)670pF
反向传输电容(Crss)74pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低电容,以最小化驱动损耗
  • 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
  • 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

应用领域

  • CPU电源供应
  • DC-DC转换器

数据手册PDF