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LPB3407LT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
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- 描述
- 特性：VDS = -30V。 RDS(ON) ≤ 60mΩ @VGS = -10V, ID = -4.1A。 RDS(ON) ≤ 80mΩ @VGS = -4.5V, ID = -3A。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S- 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。应用：该器件适用于用作负载开关或PWM应用
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LPB3407LT1G
- 商品编号
- C5273738
- 商品封装
- SOT-23LC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30V
- 当栅源电压(VGS)=-10V、漏极电流(ID)=-4.1A时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 60mΩ
- 当栅源电压(VGS)=-4.5V、漏极电流(ID)=-3A时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 80mΩ
- 我们声明,产品材料符合RoHS要求且无卤。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件。
应用领域
- 先进的沟槽技术
- 该器件适用于作为负载开关或用于脉冲宽度调制(PWM)应用。
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